Ученые МФТИ впервые обнаружили и объяснили причину «пробуждения» сегнетоэлектрических пленок оксида гафния. Этот материал используется при создании новых запоминающих устройств, способных заменить собой флешки. Открытие поможет повысить надежность работы микросхем сегнетоэлектрической памяти. Статья опубликована на сайте ScienceDirect.
Сегнетоэлектрические пленки оксида гафния являются основой запоминающих устройств нового поколения, которые придут на смену флешкам.
Открыть "Как работают новейшие устройства памяти на сегнетоэлектриках" на FiNE NEWS.
Свежие комментарии