По словам Хуанга, для полупроводниковых узлов это эволюция после архитектуры FinFET. Хуанг ожидает прирост производительности примерно на 20% от перехода на новую архитектуру GAA — Feynman.
Эта технология является ключевой для передовых технологических узлов, таких как 3-нм, и позволяет решить проблему утечки электричества путём вертикального расположения каналов тока и окружения каналов затворами со всех сторон.
Свежие комментарии